SILICON WAFER

DESCRIPCIÓN COMPLETA

La oblea de silicio se originó a partir del lingote de silicio, donde el lingote de forma cilíndrica cortado en piezas circulares delgadas con la ayuda del proceso de corte de alambre. También se conoce como sustrato de silicio o dados. El silicio existe en abundancia en la corteza terrestre, siendo el segundo material más disponible en el universo. Existen varios métodos de fabricación de silicio, principalmente el método de congelación de gradiente horizontal y el método Bridgeman, el método Bridgeman vertical y el método de congelación de gradiente. Las técnicas más famosas y utilizadas son el método Czochralski o CZ y el método de crecimiento Float Zone o FZ. El método CZ se utiliza principalmente para la fabricación de silicio monocristalino. La oblea de silicio FZ es un producto acabado de gran pureza. La oblea de silicio se utiliza principalmente como semiconductor y como plataforma fundamental para los dispositivos electrónicos. Al principio, el germanio se utilizaba como semiconductor, pero más tarde el silicio lo sustituyó y se convirtió en el mejor material semiconductor hasta la fecha.

Hay dos tipos de variedades disponibles en las obleas de silicio, como las dopadas y las no dopadas. El tipo no dopado es una forma pura de silicio, mientras que el dopado es una forma no pura en la que se han añadido algunos elementos en forma de impurezas o dopantes. El no dopado se conoce como oblea de silicio intrínseco, mientras que el dopado se denomina oblea extrínseca o degenerada y depende de la cantidad de dopaje. Si la cantidad de dopaje es pequeña/moderada, se trata del tipo extrínseco y, por otro lado, si la cantidad de dopaje es alta, se trata del tipo degenerado. El dopaje es necesario para cambiar la propiedad eléctrica del material. En la investigación y la industria, el dopado se utiliza mucho. Hay dos sustratos dopados, uno es una oblea de silicio positiva, es decir, de tipo P, y otro es una oblea de silicio negativa (de tipo N). Por lo general, durante el proceso de fabricación del silicio se añade boro para producir material de tipo P y se dopan fósforo, antimonio y arsénico para hacer material de tipo N. En este caso, la oblea de tipo N tiene algunos electrones cargados negativamente mientras que la de tipo P tiene cierto número de agujeros cargados positivamente.

Disponibilidad

Las obleas de silicio están disponibles en stock. Suministramos obleas de silicio monocristalino, policristalino y amorfo. Es frágil por naturaleza y de color gris oscuro en apariencia. Se utiliza ampliamente en la industria electrónica y en la fabricación de circuitos integrados. El diámetro de la oblea varía según los requisitos de la aplicación. El último tamaño máximo producido es de 450 mm, y cada día aumenta. Se envasa en un soporte o casete de diferente capacidad con una película totalmente sellada al vacío. El embalaje debe estar libre de contaminación y por lo tanto el material envuelto en un ambiente de sala limpia. También proporcionamos la capa de óxido térmico personalizada y rentable en la oblea de silicio. Se realizan algunas personalizaciones, como el corte de esquinas, el grabado y el lapeado. Para un uso particular, se producen pequeñas piezas de bloque cuadrado mediante el corte de obleas de silicio.