VOLLSTÄNDIGE BESCHREIBUNG
Der Siliziumwafer entstand aus dem Siliziumbarren, wobei der zylindrisch geformte Barren mit Hilfe eines Drahtschneideverfahrens in dünne kreisförmige Stücke geschnitten wurde. Er wird auch als Siliziumsubstrat oder Würfel bezeichnet. Silizium ist in der Erdkruste reichlich vorhanden, und es ist das zweithäufigste Material im Universum. Es gibt mehrere Methoden zur Herstellung von Silizium, vor allem die horizontale Gradientengefriermethode und die Bridgeman-Methode sowie die vertikale Bridgeman- und Gradientengefriermethode. Die bekanntesten und am häufigsten verwendeten Techniken sind das Czochralski-Ziehen oder CZ-Verfahren und das Float-Zone- oder FZ-Wachstumsverfahren. Die CZ-Methode wird hauptsächlich für die Herstellung von einkristallinem Silizium verwendet. Der FZ-Siliziumwafer ist ein hochreines Endprodukt. Der Siliziumwafer wird hauptsächlich als Halbleiter und als grundlegende Plattform für elektronische Geräte verwendet. Ursprünglich wurde Germanium als Halbleiter verwendet, aber später wurde es durch Silizium ersetzt und ist bis heute das beste Halbleitermaterial.
Es gibt zwei Arten von Siliziumwafern, die dotiert und undotiert sind. Undotiertes Silizium ist eine reine Form von Silizium, während dotiertes Silizium eine nicht reine Form ist, bei der einige Elemente in Form von Verunreinigungen oder Dotierstoffen hinzugefügt wurden. Undotiertes Silizium ist als intrinsisches Silizium bekannt, während das dotierte als extrinsisches oder entartetes Silizium bezeichnet wird, je nach der Menge der Dotierung. Wenn die Dotierungsmenge gering/mittel ist, handelt es sich um den extrinsischen Typ, und wenn die Dotierungsmenge hoch ist, handelt es sich um den entarteten Typ. Die Dotierung ist notwendig, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verändern. In der Forschung und Industrie wird die Dotierung ausgiebig genutzt. Es gibt zwei dotierte Substrate, ein positives, d.h. P-Silizium-Wafer, und ein negatives (N-Typ) Silizium-Wafer. Im Allgemeinen wird bei der Herstellung von Silizium Bor hinzugefügt, um ein P-Typ-Material zu erzeugen, und Phosphor, Antimon und Arsen dotiert, um ein N-Typ-Material herzustellen. Dabei hat der N-Typ Wafer einige negativ geladene Elektronen, während der P-Typ eine gewisse Anzahl von positiv geladenen Löchern hat.
VERFÜGBARKEIT
Silizium Wafer sind auf Lager verfügbar. Wir liefern sowohl monokristalline, polykristalline als auch amorphe Siliziumwafer. Es ist spröde in der Natur und dunkelgraue Farbe im Aussehen. Es wird häufig in der Elektronikindustrie und bei der Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet. Der Durchmesser des Wafers variiert je nach den Anforderungen der Anwendung. Die derzeitige maximale Produktionsgröße beträgt 450 mm und nimmt von Tag zu Tag zu. Der Wafer wird in einem Halter oder einer Kassette mit unterschiedlichem Fassungsvermögen und vollständig vakuumversiegelter Folie verpackt. Die Verpackung sollte frei von Verunreinigungen sein und daher wird das Material in einer Reinraumumgebung verpackt. Wir bieten auch die kostengünstige kundenspezifische thermische Oxidschicht auf Siliziumwafern an. Wenige Anpassungen, wie z.B. Ecken schneiden, ätzen, läppen, werden durchgeführt. Für den besonderen Einsatz, kleine Stücke von quadratischen Block produzieren durch Würfeln und Spalten von Silizium-Wafern.